比亚迪发布IGBT"中国芯"再亮"杀手锏"

原标题：比亚迪发布IGBT“中国芯” 2019年或再亮“杀手锏”

相比当前市场主流产品，比亚迪IGBT4.0在电动车电流输出能力上高出15%；而其综合损耗，在同等工况下则降低约20%；温度循环寿命更是提升10倍以上。以比亚迪全新一代唐为例，仅综合损耗降低20%这一项，便意味着其百公里电耗将降低约3%。

在发布会现场，比亚迪同时宣布，已投入巨资布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC（碳化硅），并已成功研发SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。

“目前，国际上符合新能源汽车高效、高可靠性的IGBT产品，在中国除了以比亚迪为代表的车企，就主要集中在欧洲和日本”，比亚迪第六事业部兼太阳能事业部总经理陈刚自豪地说道，“随着具有自主知识产权的IGBT产品的量产、大批量供应，中国已经可以和欧洲、日本三分天下。”

发布会现场

昨日（12月10日），比亚迪在宁波正式发布其全新车规级“IGBT4.0”技术。相比当前市场主流产品，比亚迪IGBT4.0技术在芯片损耗、模块温度循环能力、电流输出能力等关键指标上均是处于领先地位。

在电动车电流输出能力上，比亚迪IGBT4.0高出市场主流产品15%；而其综合损耗，在同等工况下则降低约20%；温度循环寿命更是提升10倍以上。以比亚迪全新一代唐为例，仅综合损耗降低20%这一项，便意味着其百公里电耗将降低约3%。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”，是一种大功率的电力电子器件，主要用于变频器逆变和其他逆变电路，将直流电压逆变成频率可调的交流电，被称之为电力电子装置的“CPU”。作为电动车电控技术中的核心零部件，IGBT主要被用于控制车辆驱动系统直、交流电的转换，直接决定了扭矩、最大输出功率等影响车辆性能的关键性指标。

比亚迪IGBT4.0晶圆（硅半导体集成电路制作所用的硅晶片）

IGBT技术，由于设计门槛高、制造技术难、投资大，在过去相当长的时间里，其核心技术始终掌握在英飞凌、三菱等国际“巨头”手中，占据着中高端IGBT市场90%的份额，导致“一芯难求”，成为制约我国电动车行业健康、快速发展的主要瓶颈之一。

对此，比亚迪于2003年便开始筹划布局IGBT产业，并于2005年组建研发团队，正式进军这一领域。2009年9月，比亚迪IGBT芯片成功通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，标志着中国在IGBT芯片技术上实现零的突破，打破了国际巨头的技术垄断。

目前，比亚迪已经陆续掌握IGBT芯片设计和制造、模组设计和制造、大功率器件测试应用平台、电源及电控等环节，成为“中国唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企”。

比亚迪IGBT芯片通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定

也正是得益于IGBT等技术的不断突破，比亚迪在新能源领域获得了持续领先。从2015到2017年，比亚迪电动车销量已经“连续三年位居全球第一”。在刚刚过去的11月份，比亚迪共销售新能源乘用车28793辆；1-11月，其累计销量已达到190142辆。

当然，比亚迪并未就此止步，而是将目光投向了更远的未来。在发布会现场，比亚迪同时宣布，已投入巨资布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC（碳化硅），并已成功研发SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或MOSFET等），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。

第三代半导体材料SiC

在比亚迪看来，随着电动车性能不断提升，对功率半导体组件提出了更高的要求，当下的IGBT也将逼近硅材料的性能极限。寻求芯片损耗更低、电流输出能力更强、更耐高温的全新半导体材料，已成为学界和业界的普遍共识。

比亚迪SiC晶圆

预计到2023年，比亚迪将在旗下的电动车中，实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代，将整车性能在现有基础上再提升10%。陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动车性能持续迭代更新的新一代‘杀手锏’，我们期望在加速、续航等性能指标上，为广大消费者带来更多惊喜。”